技術(shù)編號(hào)：7511819
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到大規(guī)模數(shù)字集成電路中的基本單元電路，尤其是一種以晶體管開關(guān)管作反相器的基本單元電路。晶體管開關(guān)電路的傳播延遲時(shí)間之所以隨電源電壓Vd的變化而變化，究其原因，需要從其構(gòu)造上來加以探究。因?yàn)樵诰wt2中存在溝道和基片，當(dāng)電源電壓上升時(shí)，溝道或基片中載流子存儲(chǔ)效應(yīng)將會(huì)增強(qiáng)。這種載流子存儲(chǔ)效應(yīng)增強(qiáng)現(xiàn)象是由于t2的輸入電壓高電平高于PN結(jié)的正向?qū)妷?Vf＝1.0伏)而產(chǎn)生的。因此，當(dāng)電源Vd高于1.5伏以上時(shí)，晶體管開關(guān)管的傳播延遲時(shí)間和功率損耗將隨...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。