技術(shù)編號(hào)：7264179
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，且具體地涉及對操作依賴于表面鈍化的硅器件。背景技術(shù)問題陳述 背照式成像探測器的表面鈍化、量子效率及穩(wěn)定性長期以來已知表面和界面對實(shí)質(zhì)上所有的固態(tài)器件尤其是成像器件的性能至關(guān)重要。表面鈍化技術(shù)對晶體管的發(fā)明和用于平面集成電路(其發(fā)起了半導(dǎo)體革命)的可靠工藝的發(fā)展至關(guān)重要。固態(tài)成像器件中的革命由于電荷耦合器件(CXD)的發(fā)明而始于1969年。表面和界面從一開始就提出了問題，且CCD設(shè)計(jì)中的許多后期的改進(jìn)目的在于實(shí)現(xiàn)對器件的前表面附近的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。