技術(shù)編號：7261644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。一種半導(dǎo)體器件包括具有第一漂移區(qū)域的第一晶體管以及多個第二晶體管，每個第二晶體管都包括源區(qū)、漏區(qū)和柵電極。第二晶體管串聯(lián)電耦合以便形成電耦合到所述第一晶體管的串聯(lián)電路，所述第一晶體管和所述多個第二晶體管至少部分被設(shè)置在包括掩埋摻雜層的半導(dǎo)體襯底中，其中所述第二晶體管的源區(qū)或漏區(qū)被設(shè)置在所述掩埋摻雜層中。專利說明[0001]本公開涉及半導(dǎo)體器件以及用于制造這樣的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)[0002]功率MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。