技術(shù)編號(hào)：7254963
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，在超級(jí)結(jié)器件溝槽填充完外延層之后，研磨之前，先填充一層氧化膜，然后使用化學(xué)機(jī)械研磨把表面研磨至平坦，再使用濕法刻蝕回刻氧化膜至阻擋層需要的厚度，再使用化學(xué)機(jī)械研磨對(duì)表面外延層斷差進(jìn)行研磨至平坦化，使用這種方法可有效的去除晶片周邊保護(hù)措施形成的外延殘留斷差，使外延層研磨不會(huì)因?yàn)橹苓厰嗖疃a(chǎn)生外延層殘留。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是指一種。背景技術(shù)[0002]在現(xiàn)今的半導(dǎo)體技術(shù)中，深溝槽結(jié)構(gòu)應(yīng)用較為廣泛。如作為...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。