技術(shù)編號：7253971
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明改善了用于制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的蝕刻處理室的結(jié)構(gòu)，大大降低了因在蝕刻工序中產(chǎn)生并堆積的副產(chǎn)物掉落到晶片所導(dǎo)致的不良，進(jìn)而減少因處理室的頻繁清洗而導(dǎo)致的生產(chǎn)性的下降。本發(fā)明的特征在于，在處理室的上部頂棚，以朝向下方的方式設(shè)置晶片，在正下方設(shè)置真空泵，在其下面具備產(chǎn)生等離子的裝置，并且使正下方被開放，以使副產(chǎn)物掉落時不受到干擾而直接向真空泵排出。專利說明用于制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的蝕刻處理室 [0001]本發(fā)明涉及在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管的工序中的...
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