技術(shù)編號(hào)：7253927
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造用于形成光電結(jié)構(gòu)(10)的至少一個(gè)半導(dǎo)體微或納米線的方法。所述方法包括如此步驟，提供半導(dǎo)體襯底(100)、在所述襯底(100)上形成晶態(tài)的所謂緩沖層(110)，所述緩沖層(110)在部分厚度上具有主要由MgxNy形式的氮化鎂構(gòu)成的第一區(qū)(110)，所述方法還包括在所述緩沖層上形成至少一個(gè)半導(dǎo)體微或納米線(150)的步驟。本發(fā)明還涉及包括微或納米線(150)的光電結(jié)構(gòu)(10)，以及能夠制造所述結(jié)構(gòu)(10)的方法。專利說(shuō)明背景技術(shù)[0001]本技...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。