技術(shù)編號：7249383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明描述了一種III-N器件，其具有III-N層、在所述III-N層上的電極、與所述III-N層和電極相鄰的鈍化層、與所述鈍化層和電極相鄰的厚絕緣層、能夠?qū)@著熱量從所述III-N器件轉(zhuǎn)移出去的高導熱性載體以及在所述厚絕緣層與所述載體之間的粘合層。所述粘合層將所述厚絕緣層連接于所述載體。所述厚絕緣層可以具有精確控制的厚度并且是導熱的。專利說明I I 1-N器件結(jié)構(gòu)和方法[0001]本發(fā)明涉及半導體電子器件，特別是去除原生基材的器件。背景技術(shù)[0002]通...
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