技術編號：7243394
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供，首先在襯底上制備上電極，依次生長有非晶砷化鎵緩沖層，砷化鎵納米晶層、銦鎵砷納米晶層，然后制備下電極，形成InGaAs納米異質結紅外探測器線列陣，本發(fā)明紅外光敏層為納米晶材料，制備簡單，并且可制備出高In組分的InGaAs薄膜，擴展探測范圍，并且為非制冷紅外探測器，工作于室溫，體積小，重量輕，成本低。專利說明—種InGaAs納米異質結紅外探測器線陣列及其制備方法[0001]本發(fā)明屬于紅外探測器材料和器件領域，具體的說涉及采用II1- V族納米晶材...
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