技術(shù)編號(hào):7240940
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池,所述太陽(yáng)能電池在金屬基板上具有由化合物半導(dǎo)體如CIGS化合物構(gòu)成的光吸收層,所述金屬基板具有形成在其中的絕緣層,并且展現(xiàn)出色的絕緣性能和光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明還涉及制備這種太陽(yáng)能電池的方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)上主要采用使用大塊單晶或多晶硅或薄膜非晶硅的硅太陽(yáng)能電池,但是最近在研究并開(kāi)發(fā)不依賴于硅的化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池。已知用于化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池的有大塊材料如GaAs和薄膜材料如包含第Ib族元素、第IIIb族元素和第VIb族元素的CIS(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。