技術(shù)編號：7236925
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米加工，尤其涉及一種采用電子束蒸發(fā)方 式制備硅納米晶體的方法。背景技術(shù)半個(gè)多世紀(jì)以來，以CMOS為主流技術(shù)的半導(dǎo)體集成電路一直在 遵循"摩爾定律"迅速發(fā)展，其特征尺寸已進(jìn)入到納米級，但同時(shí)也面 臨著越來越嚴(yán)重的挑戰(zhàn)，因此基于新材料、新原理的納米電子器件如 各種量子點(diǎn)器件、納米線、納米管器件、單電子器件等成為研究的熱 點(diǎn)。在這些納米電子器件的制作中，尺寸小、分布均勻、具有納米量 級的量子點(diǎn)的制作是一個(gè)關(guān)鍵。傳統(tǒng)的制備硅納米晶體的方法如PECVD、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。