技術(shù)編號：7232764
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種使用濕浸式光刻工序形成半導(dǎo)體器件的精細圖 案的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的集成度增加， 一直需要對用于形成亞微米精 細圖案的技術(shù)進行改進，并且開發(fā)光刻工序的研究已經(jīng)加快，以實現(xiàn) 半導(dǎo)體制造工序中的電路集成。在傳統(tǒng)的光刻工序中，使用諸如g-線(436nm)和i-線(365nm)等 光源作為曝光光源。近年來，作為深紫外(DUV)區(qū)光源的KrF(248nm) 和ArF(193nm)，以及作為短波長光源的F2(157nm)和極紫外光 (EUV)(1...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。