技術(shù)編號(hào)：7231305
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，具體而言，涉及一種在應(yīng)用于對(duì)包括非易失性存儲(chǔ)器和其外圍電路的半導(dǎo)體器件的制造時(shí)有效的技術(shù)。背景技術(shù) 作為一種可以電重寫數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器(電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器)，已知使用包括ONO(氧化物氮化物氧化物)膜的電荷存儲(chǔ)層的分離柵極型存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。作為非易失性存儲(chǔ)器的外圍電路，例如，已知包括如讀出放大器的低耐壓MISFET、列解碼器和行解碼器的電路，以及包括如升壓電路的高耐壓MISFET的電路。在日本專利申請(qǐng)公開No.2006-01937...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。