技術(shù)編號：7230489
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造中的硅外延工藝，特別涉及硅外延生 長室的預(yù)處理方法。技術(shù)背景硅外延在CMOS、 BiCMOS和射頻集成電路中有著廣泛的應(yīng)用，對半導(dǎo) 體器件的性能具有重要影響的硅外延層特性參數(shù)有電阻率和厚度，而外延 生長室的狀態(tài)對這兩個參數(shù)有很大的影響。在不同工藝之間的轉(zhuǎn)換和維護(hù) 后，外延生長室將處于一個不穩(wěn)定的工作狀態(tài)，這時需要采取有效的方法 使其穩(wěn)定在一個將要進(jìn)行外延生長工藝的工作狀態(tài)，否則后續(xù)外延工藝的 外延層的特性參數(shù)就會不穩(wěn)定。對于單片...
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