技術編號：7230213
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件的制作方法，特別是涉及一種能夠增加電 容器的下電極的表面積而可增加電容值，另外還可同時擴大溝渠上部及底 部的寬度使電容器的電容值增加，并可避免相鄰電容器之間短路情形發(fā)生 的。背景技術動態(tài)隨機存取內存(dynamic random access memory, DRAM, 即動態(tài)即為記憶胞，以下均稱為,記fc單元)內電容器的帶電荷狀態(tài)來一儲存數(shù)位訊號。電容器的電荷儲存是仰賴電容器的電容值來決定，而電容值是依據(jù)電極 的面積、電容器上電極...
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