技術(shù)編號：7228306
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件薄膜，具體涉及。背景技術(shù)薄膜應(yīng)力的大小直接影響著材料與器件的形貌，嚴重時會導(dǎo)致膜層翹曲、破裂，甚至使 器件發(fā)生嚴重損壞。不僅如此，薄膜應(yīng)力還可能對材料的性能產(chǎn)生巨大影響。例如，近年半 導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用的應(yīng)變硅技術(shù)，就是利用一定程度的雙軸、或單軸薄膜應(yīng)力(一般是舒 張壓)作用，使硅的電子和空穴等載流子遷移率都大幅提高，由此導(dǎo)致器件運行速度的提升 和能耗的降低(參見M. Leong， B, Doris, J. Kedzierski, K....
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