技術(shù)編號：7224365
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在對半導(dǎo)體晶片等作用利用微波產(chǎn)生的等離子體 而實施處理之時所使用的微波導(dǎo)入裝置。背景技術(shù)近年來，伴隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的高密度化及高微細(xì)化，在半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造工序中，為了進(jìn)行成膜、蝕刻、灰化(ashing)等處理而使用等 離子體處理裝置。特別是，由于即使是在0.1mTorr (13.3mPa) ~數(shù)十 mTorr (數(shù)Pa)左右的壓力比較低的高真空狀態(tài)下也可以穩(wěn)定地產(chǎn)生等 離子體，因此使用利用微波來產(chǎn)生高密度等離子體的微波等離子體裝置 成為趨勢。此...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。