技術(shù)編號：7221715

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本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體切換組件的架構(gòu)及其制作流程，特別是有關(guān) 一種新式且改良的組件結(jié)構(gòu)及其制作流程，是為可應(yīng)用于高頻的功率切換 組件。先前技術(shù)對于高頻的功率切換組件的需求相當(dāng)大之際，現(xiàn)有技術(shù)的功率切換組 件結(jié)構(gòu)與制造流程卻仍受限于功率晶體管中的柵極與漏極之間的速度限制電容，例如金氧半場效晶體管(MOSFET)與絕緣柵極雙載子晶體管 (IGBT)。因此，尤其是利用高頻切換的電源裝置來提供大范圍的電源給電 子組件的情況下，克服上述的限制已經(jīng)成為重要的課題。請如...
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