技術(shù)編號：7220616
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件，并且更特別地涉及制造具有氮化柵極 電介質(zhì)的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)繼續(xù)變得越來越小，柵極電介質(zhì)也變得越來越 薄。在圖1的半對數(shù)圖中說明了關(guān)于這點的困難，其中圖l顯示當(dāng)有效柵極厚度Tox (作為從柵極到溝道的電測量值的有效柵極氧化物厚度) 降低時，通過柵極電介質(zhì)的漏電流密度Jg顯著地增加。在較低的柵極 厚度下，2埃的輕微變化引起漏電流密度增加10倍。降^#極電介質(zhì)厚 度的主要動機(jī)在于提高晶體管的電流驅(qū)動Ion。電流...
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