技術(shù)編號：7217249

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本發(fā)明涉及一種具有減少反向漏電流急變現(xiàn)象的發(fā)生并提高耐雪崩崩潰電流(avalanche breakdown current)能力的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管)裝置及其制造方法，且特別涉及一種平面技術(shù)式功率MOSFET裝置及其制造方法。背景技術(shù) 圖1(a)至圖1(h)顯示了常見的平面技術(shù)的功率MOSFET裝置的制造步驟。其中圖1(a)顯示了成長...
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