技術(shù)編號：7211277
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件的制作方法，尤其是一種SONOS快閃存儲器的制作方法。背景技術(shù)通常，用于存儲數(shù)據(jù)的半導體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲 器，易失性存儲器易于在電源中斷時丟失其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器即使在 電中斷時仍可保存其數(shù)據(jù)。與其它的非易失性存儲技術(shù)(例如，磁盤驅(qū)動器) 相比，非易失性半導體存儲器相對較小。因此，非易失性存儲器已廣泛地應 用于移動通信系統(tǒng)、存儲卡等。近來，已經(jīng)提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)結(jié)構(gòu) 的非易失性...
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