技術(shù)編號：7209123
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種雙柵極場效應(yīng)晶體管，包括第一和第二電介質(zhì)層、第一和第二柵電極以及由至少一個(gè)源電極、至少一個(gè)漏電極和至少一個(gè)有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的組件，其中源電極和漏電極與半導(dǎo)體接觸，組件位于第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層之間，第一電介質(zhì)層位于第一柵電極和組件第一側(cè)之間，第二電介質(zhì)層位于第二柵電極和組件第二側(cè)之間。背景技術(shù)文獻(xiàn)US 2004/0029310A1公開了一種有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)，包括上下絕緣體層、兩個(gè)柵電極以及由源電極、漏電極和有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成的組件，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。