技術(shù)編號：7161326
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種判定PMOSFET (P型金屬氧化層半導體場效晶體管)器件硼穿通的方法。背景技術(shù)隨著柵氧化層厚度的日益減薄，硼穿通問題變得越來越嚴重。當MOSFET的柵氧厚度減薄到3nm以下，穿過薄氧化層的硼穿通對器件性能的影響成為深亞微米制程中的關(guān)鍵性問題。特別是在表面溝道器件中，非常容易出現(xiàn)硼穿通現(xiàn)象。P型多晶硅作為柵電極的表面溝道PMOSFET對于硼穿通的發(fā)生特別敏感。P型多晶硅柵電極中的硼雜質(zhì)能夠擴散進入薄柵氧化層并到達MO...
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