技術(shù)編號：7159791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是涉及一種絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明還涉及一種絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種大功率的分立器件，具有很高的耐壓能力和導(dǎo)電能力。但由于其本身結(jié)構(gòu)存在的PNPN晶閘管結(jié)構(gòu)，容易發(fā)生閂鎖效應(yīng)，導(dǎo)致器件的失控。為避免絕緣柵雙極晶體管的閂鎖，需要提高器件發(fā)射端P體區(qū)的濃度和P體區(qū)的深度，但是這會導(dǎo)致器件的閾值電壓提高，溝道區(qū)電阻增大，從而影響到器件的導(dǎo)通能力。因此，在絕緣柵雙極晶體管工藝設(shè)...
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