技術(shù)編號(hào)：7158089
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及在半導(dǎo)體襯底中形成的兩個(gè)鄰近的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)之間具有減小的寄生電容的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù) 圖11A是作為一種光傳感器的光電二極管的截面圖。在p型硅襯底100的表面上形成由n型硅構(gòu)成的外延層101。在n型外延層101的表面上形成場(chǎng)氧化膜102以限定多個(gè)有源區(qū)。在一個(gè)有源區(qū)中(在圖11A的中心區(qū)域中的有源區(qū))，形成多個(gè)n型陰極區(qū)103，彼此隔開一定的距離。在兩個(gè)鄰近的陰極區(qū)103之間，形成p型分隔區(qū)104。用抗反射膜105覆蓋形成有陰...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。