技術編號：7147671
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用在半導體制造工藝中的曝光設備，更具體地，涉及使用遠紫外光作為曝光光源的曝光設備，以及用在該曝光設備的反射光學系統中的反射鏡設備。背景技術 作為將光網(reticle，標記版，掩模)圖案透射并轉移到硅晶片上的投影曝光設備，已經提出了使用波長為13到14nm的遠紫外(EUV)光作為曝光光源的設備。由于遠紫外光在穿過物體時衰減很大，不能使用利用光學透鏡的光學控制系統。因此，在上述使用遠紫外光作為曝光光源的曝光設備中，用設置在真空中的多個反射鏡來控制曝...
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