技術編號：7140753
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種形成穿透電極(penetration electrode)的方法以及其上粘附有穿透電極的基片。尤其涉及一種適合于當制造用于在電子裝置以及光學裝置等裝置中布線使用的穿透電極，或者是當裝置堆疊連接時用于布線層的穿透電極時的一種形成穿透電極的方法。本發(fā)明也涉及其上粘附有穿透電極的基片。背景技術 為了縮小電子裝置和光學裝置的尺寸，提高其性能，或為了將這些裝置堆疊，有時用穿透電極將基片的正面和背面電連接。現(xiàn)有技術中，穿透電極的制造采用如圖1A至圖1C所...
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