技術(shù)編號：7106289
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及高電子遷移率晶體管，具體涉及具有低正向偏置集成二極管的高電子遷移率晶體管。背景技術(shù)以GaN/AlGaN技術(shù)制成的傳統(tǒng)高電子遷移率晶體管(HEMT)通常為多數(shù)載流子器件，即，在確定器件的電氣性能時主要僅涉及一種載流子(電子或空穴)。與傳統(tǒng)硅體二極管相比，上述特征對III-V族二極管特別有利。就硅體二極管而言，其主要的電氣性能是通過摻雜和器件尺寸控制，并且少數(shù)和多數(shù)載流子均影響器件操作。具體地，在開關(guān)操作器件，傳統(tǒng)硅器件會經(jīng)歷所謂的“反向恢復時間”，...
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