技術(shù)編號：7105588
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)。背景技術(shù)在GaN基正裝LED結(jié)構(gòu)中通常采用氧化銦錫(ITO)透明導(dǎo)電薄膜作為P臺面的電流擴展層，ITO的折射率約為2，ITO界面與空氣發(fā)生全反射的臨界角為30°，有源區(qū)產(chǎn)生的光只有少數(shù)逃逸到ITO之外。這就要求從芯片結(jié)構(gòu)方面進行設(shè)計，減少全反射，增大逃逸光錐的臨界角?，F(xiàn)在業(yè)內(nèi)通常采用ITO表面粗化技術(shù)減小出射光的全反射，以提高光的提取效率。但粗化ITO的難度較大，粗化掩膜的制備和去除較難。發(fā)明內(nèi)容·針對現(xiàn)有粗化ITO存在的難點和問題，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。