技術(shù)編號(hào)：7105257
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米材料制備，尤其是涉及。背景技術(shù)作為最重要和應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，娃一直以來(lái)都是研究熱點(diǎn)，相比于體娃材料，納米硅材料(硅納米線，硅納米管，硅納米粒子)具有更優(yōu)越的物理，化學(xué)，電學(xué)以及光學(xué)性能。在鋰電池領(lǐng)域，因?yàn)楣枋且阎木哂?最高電容的陽(yáng)極材料，因此被廣泛研究，但是硅材料在充放電的過(guò)程中，因?yàn)殇囯x子的反復(fù)插入抽出，使得硅材料很容易變形最后導(dǎo)致電容的下降。近幾年，一些研究組研究了各種硅納米結(jié)構(gòu)對(duì)電容的影響。崔毅教授研究組制備了核-殼結(jié)構(gòu)的硅納米...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。