技術編號：7102444
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及互補金屬氧化物半導體(CMOS)固態(tài)圖像傳感器，特別涉及一種提高CMOS圖像傳感器滿阱容量與量子效率的光電二極管結構及制造方法。具體講，涉及提高圖像傳感器滿講容量與量子效率光電二極管及方法。背景技術近年來，受益于標準CMOS工藝的進步與CMOS制造工藝的不斷改進，CMOS圖像傳感器已經超越CCD圖像傳感器成為固態(tài)圖像傳感器的主流，實現(xiàn)了近年來CMOS圖像傳感器的飛速發(fā)展。在CMOS圖像傳感器領域，借助于背面照射式技術的發(fā)展，像素單元尺寸實現(xiàn)了跨越...
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