技術編號：7089215
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路的制造領域，尤其涉及。 背景技術目前,娃中的硼(Boron)在高溫退火工藝過程中，容易發(fā)生釋氣(out-gasing)現象進而影響硅中硼的摻雜濃度，從而導致硅襯底(Si Sub)的電阻值產生變化，同時擴散出來的硼會進入本來不摻雜硼的區(qū)域，會造成相應區(qū)域電學性能的失效。去除上述不良影響通常采用的方法是在高溫退火工藝之前，利用硅化金屬阻止層(salicide block,簡稱SAB),即采用等離子體增強化學氣相沉積方法沉積一層150A ...
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