技術(shù)編號(hào)：7084724
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及上述用于微電子立體封裝的制冷結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟 第一步確認(rèn)上疊層芯片l熱點(diǎn)區(qū)，在其背面對(duì)應(yīng)區(qū)域采用光刻圖形化工藝形成已述孔陣列圖形，后采用干濕法刻蝕工藝加工成深孔，在孔內(nèi)壁和表面濺射金屬薄膜作為電鍍的種子層，并在其內(nèi)部采用電化學(xué)鍍方法填充金屬，即可形成縱向金屬散熱通道陣列5;所述的熱點(diǎn)區(qū)是指上疊層芯片1中功率輸出為5W以上的芯片區(qū)域。 所述的填充金屬是指Cu和Ni 。第二步在縱向金屬散熱通道4的底部，即上疊層芯片l的下表面上，采用濺射種...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。