技術(shù)編號：7078661
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型公開了一種生長在金屬Al襯底上生長的GaN薄膜及其制備方法和應用，所述生長在金屬Al襯底上生長的GaN薄膜包括Al襯底，Al襯底的(111)面為外延面上生長的Al2O3保護層以及在Al2O3保護層上外延生長的GaN薄膜層，其中Al2O3保護層與GaN薄膜層晶體外延取向關(guān)系為GaN(0001)//Al2O3(0001)//Al(111)。本實用新型通過選擇合適的晶體取向，Al(111)襯底上獲得的高質(zhì)量GaN外延薄膜，用于提高氮化物器件效率。本實用...
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