技術(shù)編號(hào)：7078128
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造技術(shù)，具體地，涉及ー種當(dāng)應(yīng)用于使用雙大馬士革エ藝用于在半導(dǎo)體襯底上的層間絕緣膜中形成精細(xì)Cu布線的半導(dǎo)體器件的制造時(shí)有效的技木。背景技術(shù)隨著LSI (大規(guī)模集成電路)的微型化和速度提高，代替?zhèn)鹘y(tǒng)上使用的Al (鋁)，具有更低的電阻的Cu(銅)開始被頻繁地用作LSI的布線材料。然而，Cu與等離子體離子的反應(yīng)速率是低的，以致當(dāng)通過刻蝕形成Cu布線時(shí)不能實(shí)現(xiàn)充分的生產(chǎn)率。因此在Cu布線的形成步驟中已使用大馬士革エ藝。這是ー種如下技...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。