技術(shù)編號：7061967
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供，在回刻蝕介質(zhì)層以形成鰭部之間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之前，先回刻蝕鰭部上表面預(yù)先形成的硬掩膜層使之部分去除，然后在整個器件表面形成蓋層，所述蓋層相當(dāng)于增加淺溝槽填充物的寬度，并改善淺溝槽填充物的形貌，降低回刻蝕窗口的深寬比，從而改善回刻蝕后淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面的平坦度，同時剩余的硬掩膜層可以保持鰭部暴露出的側(cè)面結(jié)構(gòu)，最終提高鰭式場效應(yīng)晶體管的器件性能。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及。 背景技術(shù) [0002] MOS晶體管...
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