技術(shù)編號：7061797
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，其目的在于提供一種適用于半導(dǎo)體裝置的氧化物半導(dǎo)體?；蛘撸景l(fā)明的另一個目的在于提供一種使用該氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置。公開的半導(dǎo)體裝置在晶體管的溝道形成區(qū)域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體層。在所述半導(dǎo)體裝置中，In-Ga-Zn-O基氧化物半導(dǎo)體層具有如下結(jié)構(gòu)在由InGaO3(ZnO)m(m>0)表示的非晶結(jié)構(gòu)中包含由InGaO3(ZnO)m(m＝1)表示的晶粒。專利說明[0001]本申請是申請日為2009年11月20日、申請?zhí)枮?..
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