技術(shù)編號(hào):7059471
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種硅穿孔工藝。通過(guò)將第一BEOL介質(zhì)層中包含的部分第二金屬層與第二BEOL介質(zhì)層中包含的第三金屬層完成傳統(tǒng)的晶圓三維集成,在晶圓性能不變的情況下大規(guī)模減小了晶圓的體積;同時(shí)利用第一BEOL介質(zhì)層中包含的部分第一金屬層不連接任何電路克服了傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)二次刻蝕時(shí)長(zhǎng)時(shí)間帶電粒子轟擊第一BEOL介質(zhì)層中金屬導(dǎo)致第一晶圓金屬內(nèi)累積大量的電荷,從而破壞第一BEOL介質(zhì)層中的半導(dǎo)體器件的缺陷。專(zhuān)利說(shuō)明 —種硅穿孔工藝 [0001]本發(fā)...
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