技術(shù)編號(hào)：7055153

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本申請(qǐng)公開了，該發(fā)光二極管的外延片包括摻雜Si的GaN層；組分恒定發(fā)光層，位于所述摻雜Si的GaN層之上；組分漸變發(fā)光層，位于所述組分恒定發(fā)光層之上；以及P型AlGaN層，位于所述組分漸變發(fā)光層之上；其中，所述組分漸變發(fā)光層包括GaN層和摻雜In的InGaN層，每個(gè)周期的所述InGaN層的In摻雜濃度不同。本申請(qǐng)相比現(xiàn)有技術(shù)，可調(diào)整發(fā)光層的電子填充狀態(tài)的分布，調(diào)節(jié)發(fā)光層的能帶，從而提高空穴和電子的復(fù)合效率。專利說明 [0001] 本申請(qǐng)涉及發(fā)光二極管...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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