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技術(shù)編號：7053542

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本發(fā)明公開了一種雙線性摻雜漏異質(zhì)材料柵氧化層石墨烯隧穿場效應(yīng)管(DL-HTFETs)。該場效應(yīng)管在源區(qū)/漏區(qū)進(jìn)行P/N型重?fù)诫s，源，漏兩端靠近溝道區(qū)域進(jìn)行線性摻雜，靠近源極的氧化層采用低K氧化物(SiO2)，靠近漏極的氧化層采用高K氧化物(HfO2)，我們采用了一種量子力學(xué)模型構(gòu)建了新型雙線性摻雜異質(zhì)材料柵氧化層石墨烯隧穿場效應(yīng)管的輸運(yùn)模型，利用該模型比較分析了高K隧穿場效應(yīng)管(HK-TFETs)、普通柵氧化物隧穿場效應(yīng)管(LK-TFETs)、異質(zhì)柵氧化物...
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