技術(shù)編號:7051313
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種,包括如下步驟步驟1在襯底上依次生長n型InAlGaN層、非摻雜或摻雜的多量子阱層、p型InAlGaN層和電流擴展層;步驟2利用光刻和干法刻蝕工藝在電流擴展層上向下刻蝕,刻蝕深度到達n型InAlGaN層內(nèi),使其形成GaN基LED結(jié)構(gòu)納米孔陣列;步驟3在電流擴展層上面、在GaN基LED結(jié)構(gòu)納米孔陣列的一側(cè)的一部分向下刻蝕,刻蝕深度大于GaN基LED結(jié)構(gòu)納米孔陣列的納米孔的深度,形成臺面;步驟4利用光刻、蒸發(fā)和帶膠剝離工藝,在電流擴展層的一部分上表面制作p...
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