技術(shù)編號：7038456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種半導(dǎo)體納米線與環(huán)繞式半導(dǎo)體部分(30D)一體地形成，該環(huán)繞式半導(dǎo)體部分接觸位于深溝槽上部部分并且接觸深溝槽電容器的內(nèi)部電極(16)的導(dǎo)電頂蓋結(jié)構(gòu)(18)的側(cè)壁。半導(dǎo)體納米線(30N)懸于埋入絕緣體層(20)上方。柵電介質(zhì)層(32L)形成在包括半導(dǎo)體納米線和環(huán)繞式半導(dǎo)體部分的半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)(30P)的表面上。環(huán)繞式柵電極部分(30D)繞半導(dǎo)體納米線的中心部分形成并且形成柵分隔件(52)。去除圖案化的半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)的物理暴露部分，執(zhí)行選擇性外延和金屬化，以...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。