技術編號：7015628
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開一種，是采用簡單的CVD方法通過控制生長時間等參數(shù)，首先在襯底上生長一層高取向的未摻雜n型ZnO微米線，然后在其上繼續(xù)生長一層Sb摻雜的p型ZnO微米線，從而制備出ZnO微米線的同質(zhì)結，再從樣品襯底底部剝離出單根的微米線，在其兩端做好電極，所得微米線直徑為10~100μm，長度為1~20mm。不但制備過程簡單、成本低，通過對該器件測試表明該器件具有良好的整流特性和極強的發(fā)光性能。專利說明[0001]本發(fā)明屬于半導體器件領域，具體涉及一種用化學氣相...
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