技術(shù)編號：7011186
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供一種，包括N型重摻雜的基板；N型輕摻雜的硅外延層，形成于所述基板上；至少兩個溝槽，形成于所述硅外延層中；所述溝槽表面依次形成有第一二氧化硅層、中間電介質(zhì)層及第二二氧化硅層；高摻雜N型多晶硅層，填充于所述溝槽中；金屬硅化物層，形成于所述硅外延層表面；正面電極，形成于所述金屬硅化物層表面；背面電極，形成于所述N型重摻雜的基板背面。本發(fā)明第一二氧化硅層/中間電介質(zhì)層/第二二氧化硅層復(fù)合結(jié)構(gòu)作為溝槽介質(zhì)層，以能夠顯著減小漏電流，不僅滿足提高擊穿電壓和降低...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。