技術(shù)編號：7008859
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種減小負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性的CMOS器件制作方法，包括第一步驟，在襯底中進(jìn)行阱注入形成P型阱以及N型阱；第二步驟，在襯底表面制作柵極氧化層；第三步驟，在柵極氧化層表面進(jìn)行柵極層的淀積；第四步驟，對柵極層進(jìn)行光刻以形成在P型阱上形成PMOS柵極，在N型阱上形成NMOS柵極；第五步驟，在PMOS柵極和NMOS柵極的側(cè)邊分別制作柵極側(cè)墻一；第六步驟，進(jìn)行輕摻雜注入在P型阱中形成PMOS輕摻雜源漏結(jié)構(gòu)，并在N型阱中形成NMOS輕摻雜源漏結(jié)構(gòu)；第七步驟，在器件表面淀...
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