技術(shù)編號：7008245
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光檢測器。背景技術(shù)光檢測器為暴露于光源時會輸出電流的器件。先前的金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)光檢測器包括本征鍺(Ge)層和電極對發(fā)明內(nèi)容 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種形成光檢測器器件的方法包括在襯底上形成絕緣層；在所述絕緣層和該襯底的一部分上形成鍺(Ge)層；在該Ge層上形成第二絕緣層；在該Ge層中注入η型離子；構(gòu)圖該η型Ge層；在該第二絕緣層和該第一絕緣層的一部分上形成覆蓋絕緣層；加熱該器件以結(jié)晶該η型Ge層而產(chǎn)生單晶η型Ge層以及形成電連接...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。