技術(shù)編號：7006578
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制造方法，尤其是一種新型階梯柵結(jié)構(gòu)IGBT及其制造方法，屬于IGBT的。背景技術(shù)IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由M0SFET(輸入級)和PNP晶體管 (輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于 MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。IGBT憑借其優(yōu)越的性能在諸如高壓輸電...
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