技術(shù)編號(hào)：7002861

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其涉及一種具有復(fù)合氮基介質(zhì)隧穿層的TN-SONOS存儲(chǔ)器。背景技術(shù)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，閃存是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)中的一種，傳統(tǒng)閃存利用浮動(dòng)?xùn)艠O作為電荷存儲(chǔ)單元，但隨著閃存技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)密度不斷增大，浮動(dòng)?xùn)艠O之間的距離減小，相鄰浮動(dòng)?xùn)艠O的存儲(chǔ)電荷之間會(huì)產(chǎn)生相互影響，對(duì)浮柵閃存技術(shù)而言，這就阻礙了存儲(chǔ)密度的增加。而SONOS (硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅)存儲(chǔ)器采用絕緣的電荷捕捉層來取代浮動(dòng)?xùn)艠O，完全避免了存儲(chǔ)電荷之間...
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