技術(shù)編號(hào)：7001075
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及根據(jù)三維集成(3D集成)技術(shù)制造的多層半導(dǎo)體晶片或結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域， 該三維集成技術(shù)包括將由第二晶片構(gòu)成的至少一層轉(zhuǎn)移到稱(chēng)為最終襯底的第一晶片上，所述層對(duì)應(yīng)于第二晶片的一部分，其中例如多個(gè)微元件的元件形成于該部分中，其他相應(yīng)元件也形成于第一晶片中。背景技術(shù)特別地，由于在給定層上出現(xiàn)的微元件的尺寸很小，數(shù)量很大，因此每個(gè)轉(zhuǎn)移層， 也就是說(shuō)每個(gè)包含該層的晶片必須以很高的精度位于最終襯底(第一晶片本身，或已經(jīng)包含其他轉(zhuǎn)移層的第一晶片)上，從而滿足與下面的層嚴(yán)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。