技術(shù)編號：6998929
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有金屬柵極的半導(dǎo)體元件以及其制作方法，特別是涉及一種具有多層堆疊結(jié)構(gòu) 的半導(dǎo)體元件與其制作方法，且多層堆疊結(jié)構(gòu)的其中至少一層具有氧原子。背景技術(shù)在已知半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，多晶硅廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體元件如金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor, M0S)晶體管中，作為標準的柵極材料選擇。然而，隨著MOS晶體管尺寸持續(xù)地微縮，傳統(tǒng)多晶娃柵極因硼穿透(boron penetration)效應(yīng)導(dǎo)致元件效能降低，及其難以避免的空...
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