技術(shù)編號：6998235
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路裝置，且特別是有關(guān)于穿透基材介層窗(TSV)波導(dǎo) (Waveguides)，以及其制造方法。背景技術(shù)為了能在同一封裝結(jié)構(gòu)中堆疊多重晶粒，利用穿透基材介層窗來將信號從晶粒的一側(cè)傳送至相對的另一側(cè)。圖1是繪示形成于半導(dǎo)體基材106中的傳統(tǒng)穿透基材介層窗 102的剖面圖。隔離層104形成于穿透基材介層窗102和半導(dǎo)體基材106間?？捎^察到，電容器108以穿透基材介層窗102和半導(dǎo)體基材106作為電容器108的電容器平板，且隔離層104作...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。